Справочник транзисторов. SD4590

 

Биполярный транзистор SD4590 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SD4590
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT262
 

 Аналог (замена) для SD4590

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD4590 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  st
sd4590.pdfpdf_icon

SD4590

SD4590RF & MICROWAVE TRANSISTORS800-960 MHz CELLULAR BASE STATIONGOLD METALLIZATION.DIFFUSED EMITTER BALLASTING.INTERNAL INPUT/OUTPUT MATCHING.COMMON EMITTER CONFIGURATION.DESIGNED FOR LINEAR OPERATION.HIGH SATURATED POWER CAPABILITY.26 VOLT, 900 MHz PERFORMANCE..400 x .860 4LFL (M208)P 150 W MIN.OUT =epoxy sealedGAIN = 8.5 dB MIN.IMD -28dB MAX. @ POU

 ..2. Size:116K  njs
sd4590.pdfpdf_icon

SD4590

 9.1. Size:190K  inchange semiconductor
2sd459.pdfpdf_icon

SD4590

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD459DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 1500(Min) @I = 5AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switching

Другие транзисторы... SD1013-3 , SD1014-02 , SD1015 , SD1018 , SD1019-2 , SD1019-5 , SD4011 , SD4013 , 13001-A , S8050B , S8050C , S8050D , S8050G , S8550B , S8550C , S8550D , S8550G .

History: SBT3904F | 2N6538 | SFT2010

 

 
Back to Top

 


 
.