SD4590. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD4590

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT262

 Аналоги (замена) для SD4590

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD4590 даташит

 ..1. Size:130K  st
 sd4590.pdf pdf_icon

SD4590

SD4590 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 800-960 MHz CELLULAR BASE STATION GOLD METALLIZATION . DIFFUSED EMITTER BALLASTING . INTERNAL INPUT/OUTPUT MATCHING . COMMON EMITTER CONFIGURATION . DESIGNED FOR LINEAR OPERATION . HIGH SATURATED POWER CAPABILITY . 26 VOLT, 900 MHz PERFORMANCE . .400 x .860 4LFL (M208) P 150 W MIN. OUT = epoxy sealed GAIN = 8.5 dB MIN. IMD -28dB MAX. @ POU

 ..2. Size:116K  njs
 sd4590.pdf pdf_icon

SD4590

 9.1. Size:190K  inchange semiconductor
 2sd459.pdf pdf_icon

SD4590

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD459 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 1500(Min) @I = 5A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching

Другие транзисторы: SD1013-3, SD1014-02, SD1015, SD1018, SD1019-2, SD1019-5, SD4011, SD4013, MPSA42, S8050B, S8050C, S8050D, S8050G, S8550B, S8550C, S8550D, S8550G