SBCP68T1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SBCP68T1G

Código: CA

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 85

Encapsulados: SOT223

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SBCP68T1G datasheet

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SBCP68T1G

BCP68T1G NPN Silicon Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface http //onsemi.com mount applications. Features MEDIUM POWER NPN SILICON High Current HIGH CURRENT TRANSISTOR The SOT-223 Package Can Be Soldered U

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