SBCP68T1G Todos los transistores

 

SBCP68T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SBCP68T1G
   Código: CA
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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SBCP68T1G Datasheet (PDF)

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SBCP68T1G

BCP68T1GNPN SiliconEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in lowvoltage, high current applications. The device is housed in theSOT-223 package, which is designed for medium power surfacehttp://onsemi.commount applications.FeaturesMEDIUM POWER NPN SILICON High CurrentHIGH CURRENT TRANSISTOR The SOT-223 Package Can Be Soldered U

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History: 2N1356

 

 
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