SBCP68T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBCP68T1G

Маркировка: CA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для SBCP68T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBCP68T1G даташит

 ..1. Size:108K  onsemi
 sbcp68t1g.pdf pdf_icon

SBCP68T1G

BCP68T1G NPN Silicon Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface http //onsemi.com mount applications. Features MEDIUM POWER NPN SILICON High Current HIGH CURRENT TRANSISTOR The SOT-223 Package Can Be Soldered U

Другие транзисторы: SBCP53-10T1G, SBCP53-16T1G, SBCP53T1G, SBCP56-10T1G, SBCP56-16T1G, SBCP56-16T3G, SBCP56T1G, SBCP56T3G, 2SC5198, SBCW30LT1G, SBCW33LT1G, SBCW66GLT1G, SBCW72LT1G, SBCX19LT1G, SBF13007-O, SBF13009-O, SBF720T1G