Справочник транзисторов. SBCP68T1G

 

Биполярный транзистор SBCP68T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SBCP68T1G
   Маркировка: CA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для SBCP68T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBCP68T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  onsemi
 sbcp68t1g.pdf pdf_icon

SBCP68T1G

BCP68T1GNPN SiliconEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in lowvoltage, high current applications. The device is housed in theSOT-223 package, which is designed for medium power surfacehttp://onsemi.commount applications.FeaturesMEDIUM POWER NPN SILICON High CurrentHIGH CURRENT TRANSISTOR The SOT-223 Package Can Be Soldered U

Другие транзисторы... SBCP53-10T1G , SBCP53-16T1G , SBCP53T1G , SBCP56-10T1G , SBCP56-16T1G , SBCP56-16T3G , SBCP56T1G , SBCP56T3G , 2SC2383Y , SBCW30LT1G , SBCW33LT1G , SBCW66GLT1G , SBCW72LT1G , SBCX19LT1G , SBF13007-O , SBF13009-O , SBF720T1G .

History: NESG3031M05 | DRC5A44W | BU221 | BU217

 

 
Back to Top

 


 
.