SBCW66GLT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SBCW66GLT1G

Código: EG

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.23 W

Tensión colector-base (Vcb): 75 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: SOT23

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SBCW66GLT1G datasheet

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SBCW66GLT1G

BCW66GLT1G, SBCW66GLT1G General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SOT-23 Compliant* (TO-236) CASE 318-08 STYLE 6 MAXIMUM RATINGS COLLECTOR Ratin

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SBCW66GLT1G

BCW66GLT1G, SBCW66GLT1G General Purpose Transistor NPN Silicon www.onsemi.com Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant SOT-23 (TO-236) CASE 318 STYLE 6 MAXIMUM RATINGS COLLECTOR Rating Symbol Va

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