SBCW66GLT1G Todos los transistores

 

SBCW66GLT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SBCW66GLT1G
   Código: EG
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.23 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SBCW66GLT1G Datasheet (PDF)

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SBCW66GLT1G

BCW66GLT1G,SBCW66GLT1GGeneral Purpose TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSSOT-23Compliant*(TO-236)CASE 318-08 STYLE 6MAXIMUM RATINGSCOLLECTORRatin

 ..2. Size:143K  onsemi
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SBCW66GLT1G

BCW66GLT1G,SBCW66GLT1GGeneral Purpose TransistorNPN Siliconwww.onsemi.comFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant SOT-23(TO-236)CASE 318 STYLE 6MAXIMUM RATINGSCOLLECTORRating Symbol Va

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History: 2N3477 | MJD3055T4G | ECG329

 

 
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