SBCW66GLT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBCW66GLT1G

Маркировка: EG

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для SBCW66GLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBCW66GLT1G даташит

 ..1. Size:103K  onsemi
 sbcw66glt1g.pdf pdf_icon

SBCW66GLT1G

BCW66GLT1G, SBCW66GLT1G General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SOT-23 Compliant* (TO-236) CASE 318-08 STYLE 6 MAXIMUM RATINGS COLLECTOR Ratin

 ..2. Size:143K  onsemi
 bcw66glt1g sbcw66glt1g.pdf pdf_icon

SBCW66GLT1G

BCW66GLT1G, SBCW66GLT1G General Purpose Transistor NPN Silicon www.onsemi.com Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant SOT-23 (TO-236) CASE 318 STYLE 6 MAXIMUM RATINGS COLLECTOR Rating Symbol Va

Другие транзисторы: SBCP56-10T1G, SBCP56-16T1G, SBCP56-16T3G, SBCP56T1G, SBCP56T3G, SBCP68T1G, SBCW30LT1G, SBCW33LT1G, 2SD669A, SBCW72LT1G, SBCX19LT1G, SBF13007-O, SBF13009-O, SBF720T1G, SBN13001, SBN13002, SBN13002D