SBSP52T1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SBSP52T1G

Código: AS3

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 90 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de SBSP52T1G

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SBSP52T1G datasheet

 ..1. Size:95K  onsemi
sbsp52t1g.pdf pdf_icon

SBSP52T1G

BSP52T1G, BSP52T3G NPN Small-Signal Darlington Transistor This NPN small signal Darlington transistor is designed for use in switching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the SOT-223 package, which is http //onsemi.com designed for medium power surface mount applications. Features MEDIUM POWER The SOT-223 Package can be sol

Otros transistores... SBN13003A1, SBN13003HB, SBR13003A, SBR13003B, SBR13003B1, SBR13003BD, SBR13003D, SBR13003H, D882P, SD1127, SD1134, SDT96304, SDT96305, SDTA114YET1G, SDTC114EET1G, SDTC114YET1G, SDTC124EET1