Биполярный транзистор SBSP52T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SBSP52T1G
Маркировка: AS3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для SBSP52T1G
SBSP52T1G Datasheet (PDF)
..1. Size:95K onsemi
sbsp52t1g.pdf
sbsp52t1g.pdf
BSP52T1G, BSP52T3GNPN Small-SignalDarlington TransistorThis NPN small signal Darlington transistor is designed for use inswitching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lampdrivers. The device is housed in the SOT-223 package, which ishttp://onsemi.comdesigned for medium power surface mount applications.FeaturesMEDIUM POWER The SOT-223 Package can be sol
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050