Биполярный транзистор SBSP52T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SBSP52T1G
Маркировка: AS3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для SBSP52T1G
SBSP52T1G Datasheet (PDF)
..1. Size:95K onsemi
sbsp52t1g.pdf
sbsp52t1g.pdf
BSP52T1G, BSP52T3GNPN Small-SignalDarlington TransistorThis NPN small signal Darlington transistor is designed for use inswitching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lampdrivers. The device is housed in the SOT-223 package, which ishttp://onsemi.comdesigned for medium power surface mount applications.FeaturesMEDIUM POWER The SOT-223 Package can be sol
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
