SBSP52T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBSP52T1G

Маркировка: AS3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для SBSP52T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBSP52T1G даташит

 ..1. Size:95K  onsemi
 sbsp52t1g.pdf pdf_icon

SBSP52T1G

BSP52T1G, BSP52T3G NPN Small-Signal Darlington Transistor This NPN small signal Darlington transistor is designed for use in switching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the SOT-223 package, which is http //onsemi.com designed for medium power surface mount applications. Features MEDIUM POWER The SOT-223 Package can be sol

Другие транзисторы: SBN13003A1, SBN13003HB, SBR13003A, SBR13003B, SBR13003B1, SBR13003BD, SBR13003D, SBR13003H, D882P, SD1127, SD1134, SDT96304, SDT96305, SDTA114YET1G, SDTC114EET1G, SDTC114YET1G, SDTC124EET1