Справочник транзисторов. SBSP52T1G

 

Биполярный транзистор SBSP52T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SBSP52T1G
   Маркировка: AS3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для SBSP52T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBSP52T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  onsemi
 sbsp52t1g.pdf pdf_icon

SBSP52T1G

BSP52T1G, BSP52T3GNPN Small-SignalDarlington TransistorThis NPN small signal Darlington transistor is designed for use inswitching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lampdrivers. The device is housed in the SOT-223 package, which ishttp://onsemi.comdesigned for medium power surface mount applications.FeaturesMEDIUM POWER The SOT-223 Package can be sol

Другие транзисторы... SBN13003A1 , SBN13003HB , SBR13003A , SBR13003B , SBR13003B1 , SBR13003BD , SBR13003D , SBR13003H , TIP36C , SD1127 , SD1134 , SDT96304 , SDT96305 , SDTA114YET1G , SDTC114EET1G , SDTC114YET1G , SDTC124EET1 .

 

 
Back to Top

 


 
.