SD1127 Todos los transistores

 

SD1127 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SD1127
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.64 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 175 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO39
     - Selección de transistores por parámetros

 

SD1127 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  njs
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SD1127

 0.1. Size:282K  hitachi
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SD1127

 0.2. Size:208K  inchange semiconductor
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SD1127

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1127DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 120V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 1000(Min) @I = 10AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 9.1. Size:33K  hitachi
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SD1127

2SD1126(K)Silicon NPN Triple DiffusedApplicationPower switchingOutlineTO-220AB211. BaseID2. Collector(Flange)13. Emitter 1.5 k 130 23(Typ) (Typ)32SD1126(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 120 VCollector to emitter voltage VCEO 120 VEmitter to base voltage VEBO 7VCollector current IC

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BFS61K

 

 
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