SD1127. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD1127

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.64 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для SD1127

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD1127 даташит

 ..1. Size:82K  njs
 sd1127.pdf pdf_icon

SD1127

 0.1. Size:282K  hitachi
 2sd1127.pdf pdf_icon

SD1127

 0.2. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd1127.pdf pdf_icon

SD1127

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1127 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 120V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain h = 1000(Min) @I = 10A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 9.1. Size:33K  hitachi
 2sd1126.pdf pdf_icon

SD1127

2SD1126(K) Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching Outline TO-220AB 2 1 1. Base ID 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 1.5 k 130 2 3 (Typ) (Typ) 3 2SD1126(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 120 V Collector to emitter voltage VCEO 120 V Emitter to base voltage VEBO 7V Collector current IC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SBN13003HB, SBR13003A, SBR13003B, SBR13003B1, SBR13003BD, SBR13003D, SBR13003H, SBSP52T1G, BD136, SD1134, SDT96304, SDT96305, SDTA114YET1G, SDTC114EET1G, SDTC114YET1G, SDTC124EET1, SDTC124EET1G