SDT96305 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDT96305

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W

Tensión colector-base (Vcb): 275 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 600 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO204

 Búsqueda de reemplazo de SDT96305

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SDT96305 datasheet

 ..1. Size:17K  semelab
 sdt96305.pdf pdf_icon

SDT96305

SDT96305 MECHANICAL DATA Dimensions in mm NPN SILICON POWER TRANSISTOR 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) FEATURES Low saturation voltages. High current gain at 40A. (20 Typ.) Hermetic metal package. 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) APPLICATIONS 12.70 (0.50) High power sw

 7.1. Size:10K  semelab
 sdt96304.pdf pdf_icon

SDT96305

SDT96304 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 Base 2 Emitter Case - Collector Parameter Test Conditions Min. Typ. M

Otros transistores... SBR13003B1, SBR13003BD, SBR13003D, SBR13003H, SBSP52T1G, SD1127, SD1134, SDT96304, A42, SDTA114YET1G, SDTC114EET1G, SDTC114YET1G, SDTC124EET1, SDTC124EET1G, SDTC144EET1G, SHN1B01FDW1T1G, SJ5438