SDT96305. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDT96305

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 275 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO204

 Аналоги (замена) для SDT96305

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SDT96305 даташит

 ..1. Size:17K  semelab
 sdt96305.pdf pdf_icon

SDT96305

SDT96305 MECHANICAL DATA Dimensions in mm NPN SILICON POWER TRANSISTOR 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) FEATURES Low saturation voltages. High current gain at 40A. (20 Typ.) Hermetic metal package. 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) APPLICATIONS 12.70 (0.50) High power sw

 7.1. Size:10K  semelab
 sdt96304.pdf pdf_icon

SDT96305

SDT96304 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 Base 2 Emitter Case - Collector Parameter Test Conditions Min. Typ. M

Другие транзисторы: SBR13003B1, SBR13003BD, SBR13003D, SBR13003H, SBSP52T1G, SD1127, SD1134, SDT96304, A42, SDTA114YET1G, SDTC114EET1G, SDTC114YET1G, SDTC124EET1, SDTC124EET1G, SDTC144EET1G, SHN1B01FDW1T1G, SJ5438