SDTA114YET1G Todos los transistores

 

SDTA114YET1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDTA114YET1G
   Código: 6D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT416
     - Selección de transistores por parámetros

 

SDTA114YET1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  onsemi
 sdta114yet1g.pdf pdf_icon

SDTA114YET1G

DTA114EET1 Series,SDTA114EET1 SeriesPreferred DevicesBias Resistor TransistorsPNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorTransistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias PNP SIL

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History: KRA108S | SEMZ8

 

 
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