SDTA114YET1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDTA114YET1G

Маркировка: 6D

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT416

 Аналоги (замена) для SDTA114YET1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SDTA114YET1G даташит

 ..1. Size:222K  onsemi
 sdta114yet1g.pdf pdf_icon

SDTA114YET1G

DTA114EET1 Series, SDTA114EET1 Series Preferred Devices Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network http //onsemi.com This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias PNP SIL

Другие транзисторы: SBR13003BD, SBR13003D, SBR13003H, SBSP52T1G, SD1127, SD1134, SDT96304, SDT96305, D667, SDTC114EET1G, SDTC114YET1G, SDTC124EET1, SDTC124EET1G, SDTC144EET1G, SHN1B01FDW1T1G, SJ5438, SJT1941PPN