Справочник транзисторов. SDTA114YET1G

 

Биполярный транзистор SDTA114YET1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SDTA114YET1G
   Маркировка: 6D
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT416
 

 Аналог (замена) для SDTA114YET1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SDTA114YET1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  onsemi
 sdta114yet1g.pdf pdf_icon

SDTA114YET1G

DTA114EET1 Series,SDTA114EET1 SeriesPreferred DevicesBias Resistor TransistorsPNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorTransistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias PNP SIL

Другие транзисторы... SBR13003BD , SBR13003D , SBR13003H , SBSP52T1G , SD1127 , SD1134 , SDT96304 , SDT96305 , S9018 , SDTC114EET1G , SDTC114YET1G , SDTC124EET1 , SDTC124EET1G , SDTC144EET1G , SHN1B01FDW1T1G , SJ5438 , SJT1941PPN .

History: BUV48BFI | RN2424 | 2SC2669 | BC850ALT1 | BF299 | BUL54ASMD | 2SD1347

 

 
Back to Top

 


 
.