MRF235 Todos los transistores

 

MRF235 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF235

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 130 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: SOT122

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MRF235 datasheet

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MRF235

HG RF POWER TRANSISTOR MRF235 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR NPN Silicon RF power transistor MRF235 Description MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

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