MRF235 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF235  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: SOT122

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF235

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF235 даташит

 ..1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF235

HG RF POWER TRANSISTOR MRF235 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR NPN Silicon RF power transistor MRF235 Description MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Другие транзисторы: MRF10502, MRF1090MA, MRF1090MB, MRF1150MA, MRF1150MB, MRF16006, MRF1946, MRF1946A, 2SC5198, MRF240, MRF247, MRF260, MRF261, MRF2628, MRF264, MRF314A, MRF315A