MRF412 Todos los transistores

 

MRF412 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF412
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 240 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 18 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 450 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT121
 

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MRF412 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:28K  eleflow
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MRF412

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF412www.eleflow.com NPN Silicon RF power transistor MRF412 Description: MRF412 is designed primarily for applications as a high power amplifier from 2.0 to 30 MHz, in single sideband mobile, marine and base station equipment where superior ruggedness is required. Features: Specified 13.6V, 30MHz characteristics: Pout: 70W PEP or CW, Min Gpe: 13dB, Effici

 9.1. Size:86K  eleflow
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MRF412

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF410www.eleflow.com NPN Bipolar RF power transistor MRF410 Description: MRF410 is designed primarily for HF, VHF, UHF, 800MHz, and Microwave applications in military and commercial land mobile, avionics, and marine transmitters. Features: 1.5-30MHz, HF/SSB Transistors. Designed for broadband operation, these devices feature specified intermodulation dist

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History: 3CG111

 

 
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