MRF412 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF412  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 240 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 450 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT121

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MRF412 datasheet

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MRF412

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF412 www.eleflow.com NPN Silicon RF power transistor MRF412 Description MRF412 is designed primarily for applications as a high power amplifier from 2.0 to 30 MHz, in single sideband mobile, marine and base station equipment where superior ruggedness is required. Features Specified 13.6V, 30MHz characteristics Pout 70W PEP or CW, Min Gpe 13dB, Effici

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MRF412

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF410 www.eleflow.com NPN Bipolar RF power transistor MRF410 Description MRF410 is designed primarily for HF, VHF, UHF, 800MHz, and Microwave applications in military and commercial land mobile, avionics, and marine transmitters. Features 1.5-30MHz, HF/SSB Transistors. Designed for broadband operation, these devices feature specified intermodulation dist

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