MRF412 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF412  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 240 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 18 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT121

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF412

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF412 даташит

 ..1. Size:28K  eleflow
 mrf412.pdf pdf_icon

MRF412

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF412 www.eleflow.com NPN Silicon RF power transistor MRF412 Description MRF412 is designed primarily for applications as a high power amplifier from 2.0 to 30 MHz, in single sideband mobile, marine and base station equipment where superior ruggedness is required. Features Specified 13.6V, 30MHz characteristics Pout 70W PEP or CW, Min Gpe 13dB, Effici

 9.1. Size:86K  eleflow
 mrf410.pdf pdf_icon

MRF412

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF410 www.eleflow.com NPN Bipolar RF power transistor MRF410 Description MRF410 is designed primarily for HF, VHF, UHF, 800MHz, and Microwave applications in military and commercial land mobile, avionics, and marine transmitters. Features 1.5-30MHz, HF/SSB Transistors. Designed for broadband operation, these devices feature specified intermodulation dist

Другие транзисторы: MRF2628, MRF264, MRF314A, MRF315A, MRF329, MRF392, MRF393, MRF410, TIP142, MRF427A, MRF429, MRF448, MRF449A, MRF450A, MRF453A, MRF466, MRF477