Биполярный транзистор MRF412 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF412
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 240 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 18 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT121
MRF412 Datasheet (PDF)
mrf412.pdf
ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF412www.eleflow.com NPN Silicon RF power transistor MRF412 Description: MRF412 is designed primarily for applications as a high power amplifier from 2.0 to 30 MHz, in single sideband mobile, marine and base station equipment where superior ruggedness is required. Features: Specified 13.6V, 30MHz characteristics: Pout: 70W PEP or CW, Min Gpe: 13dB, Effici
mrf410.pdf
ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF410www.eleflow.com NPN Bipolar RF power transistor MRF410 Description: MRF410 is designed primarily for HF, VHF, UHF, 800MHz, and Microwave applications in military and commercial land mobile, avionics, and marine transmitters. Features: 1.5-30MHz, HF/SSB Transistors. Designed for broadband operation, these devices feature specified intermodulation dist
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050