MRF497 Todos los transistores

 

MRF497 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF497
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 87.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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MRF497 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF492/DThe RF LineNPN SiliconMRF492RF Power TransistorDesigned for 12.5 volt low band VHF largesignal power amplifier applica-tions in commercial and industrial FM equipment. Specified 12.5 V, 50 MHz Characteristics Output Power = 70 W70 W, 50 MHzMinimum Gain = 11 dBRF POWEREfficiency = 50%TRANSI

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF492/DThe RF LineNPN SiliconMRF492RF Power TransistorDesigned for 12.5 volt low band VHF largesignal power amplifier applica-tions in commercial and industrial FM equipment. Specified 12.5 V, 50 MHz Characteristics Output Power = 70 W70 W, 50 MHzMinimum Gain = 11 dBRF POWEREfficiency = 50%TRANSI

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History: C652 | 2SC4635 | CH817SGP | HSE3010 | 2N471A | TMPTH81 | 2N5419

 

 
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