MRF497 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF497  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF497

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF497 даташит

 ..1. Size:87K  njs
 mrf497.pdf pdf_icon

MRF497

 9.1. Size:84K  motorola
 mrf492re.pdf pdf_icon

MRF497

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF492/D The RF Line NPN Silicon MRF492 RF Power Transistor Designed for 12.5 volt low band VHF large signal power amplifier applica- tions in commercial and industrial FM equipment. Specified 12.5 V, 50 MHz Characteristics Output Power = 70 W 70 W, 50 MHz Minimum Gain = 11 dB RF POWER Efficiency = 50% TRANSI

 9.2. Size:84K  motorola
 mrf492.pdf pdf_icon

MRF497

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF492/D The RF Line NPN Silicon MRF492 RF Power Transistor Designed for 12.5 volt low band VHF large signal power amplifier applica- tions in commercial and industrial FM equipment. Specified 12.5 V, 50 MHz Characteristics Output Power = 70 W 70 W, 50 MHz Minimum Gain = 11 dB RF POWER Efficiency = 50% TRANSI

 9.3. Size:86K  njs
 mrf492a.pdf pdf_icon

MRF497

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF450A, MRF453A, MRF466, MRF477, MRF479, MRF486, MRF492, MRF492A, D667, MRF544, MRF545, MRF555, MRF572, MRF581, MRF581A, MRF587, MRF630