MRF544 Todos los transistores

 

MRF544 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF544
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO39

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MRF544 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  hgsemi
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MRF544

HG RF POWER TRANSISTOR MRF544 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Silicon NPN, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged, Transistor Maximum Unilateral Gain = 13.5 dB (typ) @ f = 200 MHz 1. Emitter 2. Base 3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min) TO-39 High FT - 1400 MHz DESCRIPTION Designe

 9.1. Size:338K  hgsemi
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MRF544

HG RF POWER TRANSISTOR MRF545 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Silicon PNP, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged, Transistor Maximum Unilateral Gain = 14 dB (typ) @ f = 200 MHz 1. Emitter 2. Base 3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min) TO-39 High FT - 1400 MHz DESCRIPTION Designed

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History: 2N3740R | NB021FT | 2SC3017 | 2SD1979 | DSA4G01 | 2SC3788E | MSD42T1G

 

 
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