Биполярный транзистор MRF544 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF544
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO39
MRF544 Datasheet (PDF)
mrf544.pdf
HG RF POWER TRANSISTORMRF544SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures Silicon NPN, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged,Transistor Maximum Unilateral Gain = 13.5 dB (typ) @ f = 200 MHz1. Emitter2. Base3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min)TO-39 High FT - 1400 MHzDESCRIPTION:Designe
mrf545.pdf
HG RF POWER TRANSISTORMRF545SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures Silicon PNP, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged,Transistor Maximum Unilateral Gain = 14 dB (typ) @ f = 200 MHz1. Emitter2. Base3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min)TO-39 High FT - 1400 MHzDESCRIPTION:Designed
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050