MRF545 Todos los transistores

 

MRF545 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF545
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO39

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MRF545

 

MRF545 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  hgsemi
 mrf545.pdf pdf_icon

MRF545

HG RF POWER TRANSISTOR MRF545 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Silicon PNP, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged, Transistor Maximum Unilateral Gain = 14 dB (typ) @ f = 200 MHz 1. Emitter 2. Base 3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min) TO-39 High FT - 1400 MHz DESCRIPTION Designed

 9.1. Size:335K  hgsemi
 mrf544.pdf pdf_icon

MRF545

HG RF POWER TRANSISTOR MRF544 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Silicon NPN, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged, Transistor Maximum Unilateral Gain = 13.5 dB (typ) @ f = 200 MHz 1. Emitter 2. Base 3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min) TO-39 High FT - 1400 MHz DESCRIPTION Designe

Otros transistores... MRF466 , MRF477 , MRF479 , MRF486 , MRF492 , MRF492A , MRF497 , MRF544 , BDT88 , MRF555 , MRF572 , MRF581 , MRF581A , MRF587 , MRF630 , MRF650 , MRF652 .

History: 2SA765 | FJN3301R | 2SD389 | 2SD2182 | DTA044EEB | MS1649 | BUT36

 

 
Back to Top

 


 
.