MRF545 Todos los transistores

 

MRF545 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF545
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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MRF545 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  hgsemi
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MRF545

HG RF POWER TRANSISTORMRF545SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures Silicon PNP, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged,Transistor Maximum Unilateral Gain = 14 dB (typ) @ f = 200 MHz1. Emitter2. Base3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min)TO-39 High FT - 1400 MHzDESCRIPTION:Designed

 9.1. Size:335K  hgsemi
 mrf544.pdf pdf_icon

MRF545

HG RF POWER TRANSISTORMRF544SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures Silicon NPN, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged,Transistor Maximum Unilateral Gain = 13.5 dB (typ) @ f = 200 MHz1. Emitter2. Base3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min)TO-39 High FT - 1400 MHzDESCRIPTION:Designe

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History: UN2218 | 2SC756-3

 

 
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