MRF545 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF545  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 3.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 70 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO39

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MRF545 datasheet

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MRF545

HG RF POWER TRANSISTOR MRF545 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Silicon PNP, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged, Transistor Maximum Unilateral Gain = 14 dB (typ) @ f = 200 MHz 1. Emitter 2. Base 3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min) TO-39 High FT - 1400 MHz DESCRIPTION Designed

 9.1. Size:335K  hgsemi
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MRF545

HG RF POWER TRANSISTOR MRF544 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Silicon NPN, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged, Transistor Maximum Unilateral Gain = 13.5 dB (typ) @ f = 200 MHz 1. Emitter 2. Base 3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min) TO-39 High FT - 1400 MHz DESCRIPTION Designe

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