MRF545 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MRF545
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 3.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO39
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MRF545 Datasheet (PDF)
mrf545.pdf
HG RF POWER TRANSISTORMRF545SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures Silicon PNP, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged,Transistor Maximum Unilateral Gain = 14 dB (typ) @ f = 200 MHz1. Emitter2. Base3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min)TO-39 High FT - 1400 MHzDESCRIPTION:Designed
mrf544.pdf
HG RF POWER TRANSISTORMRF544SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures Silicon NPN, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged,Transistor Maximum Unilateral Gain = 13.5 dB (typ) @ f = 200 MHz1. Emitter2. Base3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min)TO-39 High FT - 1400 MHzDESCRIPTION:Designe
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History: 2N5013S
History: 2N5013S
Liste
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