MRF545 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF545  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF545

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF545 даташит

 ..1. Size:338K  hgsemi
 mrf545.pdf pdf_icon

MRF545

HG RF POWER TRANSISTOR MRF545 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Silicon PNP, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged, Transistor Maximum Unilateral Gain = 14 dB (typ) @ f = 200 MHz 1. Emitter 2. Base 3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min) TO-39 High FT - 1400 MHz DESCRIPTION Designed

 9.1. Size:335K  hgsemi
 mrf544.pdf pdf_icon

MRF545

HG RF POWER TRANSISTOR MRF544 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Silicon NPN, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged, Transistor Maximum Unilateral Gain = 13.5 dB (typ) @ f = 200 MHz 1. Emitter 2. Base 3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min) TO-39 High FT - 1400 MHz DESCRIPTION Designe

Другие транзисторы: MRF466, MRF477, MRF479, MRF486, MRF492, MRF492A, MRF497, MRF544, BDT88, MRF555, MRF572, MRF581, MRF581A, MRF587, MRF630, MRF650, MRF652