Справочник транзисторов. MRF545

 

Биполярный транзистор MRF545 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF545
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO39
 

 Аналог (замена) для MRF545

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF545 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  hgsemi
 mrf545.pdf pdf_icon

MRF545

HG RF POWER TRANSISTORMRF545SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures Silicon PNP, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged,Transistor Maximum Unilateral Gain = 14 dB (typ) @ f = 200 MHz1. Emitter2. Base3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min)TO-39 High FT - 1400 MHzDESCRIPTION:Designed

 9.1. Size:335K  hgsemi
 mrf544.pdf pdf_icon

MRF545

HG RF POWER TRANSISTORMRF544SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures Silicon NPN, high Frequency, high breakdown, To-39 packaged,Transistor Maximum Unilateral Gain = 13.5 dB (typ) @ f = 200 MHz1. Emitter2. Base3. Collector High Collector Base Breakdown Voltage - BVCBO = 100 V (min)TO-39 High FT - 1400 MHzDESCRIPTION:Designe

Другие транзисторы... MRF466 , MRF477 , MRF479 , MRF486 , MRF492 , MRF492A , MRF497 , MRF544 , BC547 , MRF555 , MRF572 , MRF581 , MRF581A , MRF587 , MRF630 , MRF650 , MRF652 .

History: UN2218 | 2SC756-3

 

 
Back to Top

 


 
.