MRF630 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MRF630
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 8.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 512 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO39
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MRF630 Datasheet (PDF)
mrf630.pdf

MRF630 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF630 is Designed for UHF large signal, FM Land Mobile PACKAGE STYLE TO 205AD Applications up to 512 MHz. FEATURES:MILLIMETERS INCHESDIM MIN MAX MIN MAX Grounded EmitterA 9.02 9.29 0.355 0.366B 8.01 8.50 0.315 0.335 PG = 9.5 dB at 3.0 W/470 MHz C 4.20 4.57 0.165 0.180 Omnigold Metalization Sys
Otros transistores... MRF497 , MRF544 , MRF545 , MRF555 , MRF572 , MRF581 , MRF581A , MRF587 , 2N3055 , MRF650 , MRF652 , MRF652S , MRF653 , MRF654 , MRF658 , MRF839 , MRF839F .
History: ECG102 | 2SC1331 | 2SA892
History: ECG102 | 2SC1331 | 2SA892



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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