MRF630 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MRF630
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO39
MRF630 Datasheet (PDF)
mrf630.pdf
MRF630 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI MRF630 is Designed for UHF large signal, FM Land Mobile PACKAGE STYLE TO 205AD Applications up to 512 MHz. FEATURES MILLIMETERS INCHES DIM MIN MAX MIN MAX Grounded Emitter A 9.02 9.29 0.355 0.366 B 8.01 8.50 0.315 0.335 PG = 9.5 dB at 3.0 W/470 MHz C 4.20 4.57 0.165 0.180 Omnigold Metalization Sys
Другие транзисторы... MRF497 , MRF544 , MRF545 , MRF555 , MRF572 , MRF581 , MRF581A , MRF587 , 2N3904 , MRF650 , MRF652 , MRF652S , MRF653 , MRF654 , MRF658 , MRF839 , MRF839F .
History: RN2902 | RN1604 | 2SC4209 | UN5215R | 2SC4180 | 2SD1945 | RN47A1JE
History: RN2902 | RN1604 | 2SC4209 | UN5215R | 2SC4180 | 2SD1945 | RN47A1JE
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet


