Биполярный транзистор MRF630 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF630
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO39
MRF630 Datasheet (PDF)
..1. Size:58K no
mrf630.pdf
mrf630.pdf
MRF630 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF630 is Designed for UHF large signal, FM Land Mobile PACKAGE STYLE TO 205AD Applications up to 512 MHz. FEATURES:MILLIMETERS INCHESDIM MIN MAX MIN MAX Grounded EmitterA 9.02 9.29 0.355 0.366B 8.01 8.50 0.315 0.335 PG = 9.5 dB at 3.0 W/470 MHz C 4.20 4.57 0.165 0.180 Omnigold Metalization Sys
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050