Справочник транзисторов. MRF630

 

Биполярный транзистор MRF630 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF630
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO39
 

 Аналог (замена) для MRF630

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  no
 mrf630.pdf pdf_icon

MRF630

MRF630 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF630 is Designed for UHF large signal, FM Land Mobile PACKAGE STYLE TO 205AD Applications up to 512 MHz. FEATURES:MILLIMETERS INCHESDIM MIN MAX MIN MAX Grounded EmitterA 9.02 9.29 0.355 0.366B 8.01 8.50 0.315 0.335 PG = 9.5 dB at 3.0 W/470 MHz C 4.20 4.57 0.165 0.180 Omnigold Metalization Sys

Другие транзисторы... MRF497 , MRF544 , MRF545 , MRF555 , MRF572 , MRF581 , MRF581A , MRF587 , 2N3055 , MRF650 , MRF652 , MRF652S , MRF653 , MRF654 , MRF658 , MRF839 , MRF839F .

History: KT218E9 | KT660A | 3DG2236 | RN1309

 

 
Back to Top

 


 
.