Справочник транзисторов. MRF630

 

Биполярный транзистор MRF630 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF630
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  no
 mrf630.pdf pdf_icon

MRF630

MRF630 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF630 is Designed for UHF large signal, FM Land Mobile PACKAGE STYLE TO 205AD Applications up to 512 MHz. FEATURES:MILLIMETERS INCHESDIM MIN MAX MIN MAX Grounded EmitterA 9.02 9.29 0.355 0.366B 8.01 8.50 0.315 0.335 PG = 9.5 dB at 3.0 W/470 MHz C 4.20 4.57 0.165 0.180 Omnigold Metalization Sys

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BFG520-X | HSE226 | 2SD1177C | MP8535 | BD139 | S9013-MS

 

 
Back to Top

 


 
.