MRF630 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF630  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF630

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF630 даташит

 ..1. Size:58K  no
 mrf630.pdf pdf_icon

MRF630

MRF630 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI MRF630 is Designed for UHF large signal, FM Land Mobile PACKAGE STYLE TO 205AD Applications up to 512 MHz. FEATURES MILLIMETERS INCHES DIM MIN MAX MIN MAX Grounded Emitter A 9.02 9.29 0.355 0.366 B 8.01 8.50 0.315 0.335 PG = 9.5 dB at 3.0 W/470 MHz C 4.20 4.57 0.165 0.180 Omnigold Metalization Sys

Другие транзисторы: MRF497, MRF544, MRF545, MRF555, MRF572, MRF581, MRF581A, MRF587, 2N3904, MRF650, MRF652, MRF652S, MRF653, MRF654, MRF658, MRF839, MRF839F