MRF839 Todos los transistores

 

MRF839 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF839
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 960 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: SOT122

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MRF839 Datasheet (PDF)

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF839F/D The RF Line NPN Silicon MRF839F RF Power Transistors . . . designed for 12.5 Volt UHF large signal, common emitter amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 V, 870 MHz Characteristics 3.0 W, 806 960 MHz Output Power = 3.0 Wa

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