MRF839 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF839  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SOT122

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF839

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF839 даташит

 ..1. Size:43K  njs
 mrf839.pdf pdf_icon

MRF839

 0.1. Size:106K  motorola
 mrf839fr.pdf pdf_icon

MRF839

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF839F/D The RF Line NPN Silicon MRF839F RF Power Transistors . . . designed for 12.5 Volt UHF large signal, common emitter amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 V, 870 MHz Characteristics 3.0 W, 806 960 MHz Output Power = 3.0 Wa

 0.2. Size:106K  motorola
 mrf839f.pdf pdf_icon

MRF839

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF839F/D The RF Line NPN Silicon MRF839F RF Power Transistors . . . designed for 12.5 Volt UHF large signal, common emitter amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 V, 870 MHz Characteristics 3.0 W, 806 960 MHz Output Power = 3.0 Wa

 0.3. Size:44K  njs
 mrf839f.pdf pdf_icon

MRF839

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF587, MRF630, MRF650, MRF652, MRF652S, MRF653, MRF654, MRF658, BC548, MRF839F, MRF857S, MRF891, MRF891S, MRF894, MRF897, MRF897R, MRF899