MRF857S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF857S 📄📄

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 17 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 960 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO50

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MRF857S datasheet

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF857/D The RF Line NPN Silicon MRF857S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characteristics 2.1

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF857/D The RF Line MRF857 NPN Silicon MRF857S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characterist

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