MRF857S datasheet, аналоги, параметры транзистора

MRF857S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF857S 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO50

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для MRF857S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

MRF857S даташит

..1. Size:103K motorola
mrf857s.pdf pdf_icon

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF857/D The RF Line NPN Silicon MRF857S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characteristics 2.1

..2. Size:150K motorola
mrf857 mrf857s.pdf pdf_icon

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF857/D The RF Line MRF857 NPN Silicon MRF857S RF Power Transistor Designed for 24 Volt UHF large signal, common emitter, class A linear amplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the range of 800 960 MHz. CLASS A 800 960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characterist

..3. Size:97K njs
mrf857s.pdf pdf_icon