MS1226 Todos los transistores

 

MS1226 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS1226
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 36 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 65 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: M113

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MS1226 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  hgsemi
 ms1226.pdf pdf_icon

MS1226

HG RF POWER TRANSISTOR MS1226 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features 30 MHz 28 VOLTS IMD = -28 dB POUT = 30 WATTS GP = 18 dB MINIMUM COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes

 9.1. Size:112K  apt
 ms1227.pdf pdf_icon

MS1226

MS1227 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS Features 30 MHz 12.5 VOLTS GOLD METALIZATION POUT = 20 W MINIMUM GP = 15 dB COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliabil

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History: MRF553 | 2SC4210 | RN1910AFS | RN1909AFS | 2SC4188 | BCX54T | 2SC2957

 

 
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