MS1226 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS1226  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 36 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 65 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: M113

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MS1226 datasheet

 ..1. Size:353K  hgsemi
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MS1226

HG RF POWER TRANSISTOR MS1226 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features 30 MHz 28 VOLTS IMD = -28 dB POUT = 30 WATTS GP = 18 dB MINIMUM COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes

 9.1. Size:112K  apt
 ms1227.pdf pdf_icon

MS1226

MS1227 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS Features 30 MHz 12.5 VOLTS GOLD METALIZATION POUT = 20 W MINIMUM GP = 15 dB COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliabil

Otros transistores... MRF857S, MRF891, MRF891S, MRF894, MRF897, MRF897R, MRF899, MRFC572, TIP3055, MS1227, MS1261, MS1329, MS1501, MS1649, MS2202, MS2203, MS2204