Биполярный транзистор MS1226 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MS1226
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: M113
MS1226 Datasheet (PDF)
ms1226.pdf
HG RF POWER TRANSISTORMS1226SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeaturesFeatures 30 MHz 28 VOLTS IMD = -28 dB POUT = 30 WATTS GP = 18 dB MINIMUM COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION:DESCRIPTION: The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistordesigned primarily for SSB communications. This deviceutilizes
ms1227.pdf
MS1227RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSFeatures 30 MHz 12.5 VOLTS GOLD METALIZATION POUT = 20 W MINIMUM GP = 15 dB COMMON EMITTER CONFIGURATIONDESCRIPTION:DESCRIPTION:The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designedprimarily for SSB communications. This device utilizes emitterballasting for improved ruggedness and reliabil
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050