MS1226 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MS1226 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MS1226
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: M113

 Аналоги (замена) для MS1226

 

MS1226 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  hgsemi
 ms1226.pdf pdf_icon

MS1226

HG RF POWER TRANSISTOR MS1226 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features 30 MHz 28 VOLTS IMD = -28 dB POUT = 30 WATTS GP = 18 dB MINIMUM COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes

 9.1. Size:112K  apt
 ms1227.pdf pdf_icon

MS1226

MS1227 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS Features 30 MHz 12.5 VOLTS GOLD METALIZATION POUT = 20 W MINIMUM GP = 15 dB COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliabil

Другие транзисторы... MRF857S , MRF891 , MRF891S , MRF894 , MRF897 , MRF897R , MRF899 , MRFC572 , TIP3055 , MS1227 , MS1261 , MS1329 , MS1501 , MS1649 , MS2202 , MS2203 , MS2204 .

History: 2SC5658RM3 | DTS3705 | GT403G

 

 
Back to Top

 


 
.