MS1329 Todos los transistores

 

MS1329 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS1329
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: SOT120
     - Selección de transistores por parámetros

 

MS1329 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  hgsemi
ms1329.pdf pdf_icon

MS1329

HG RF POWER TRANSISTORMS1329SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures FeaturesFeaturesFeatures 150 MHz 28 VOLTS P OUT = 60W G = 7.0 dB MINIMUM P COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION: DESCRIPTION: DESCRIPTION:DESCRIPTION: The MS1629 is an epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for 12.5 V Class

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KRA551F | SGSIF444 | MSD1819A-RT1G | PN4142 | TTA1586FU | SMLBFY90 | BD466B

 

 
Back to Top

 


 
.