MS1329 Todos los transistores

 

MS1329 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS1329
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: SOT120
 

 Búsqueda de reemplazo de MS1329

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MS1329 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  hgsemi
 ms1329.pdf pdf_icon

MS1329

HG RF POWER TRANSISTORMS1329SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures FeaturesFeaturesFeatures 150 MHz 28 VOLTS P OUT = 60W G = 7.0 dB MINIMUM P COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION: DESCRIPTION: DESCRIPTION:DESCRIPTION: The MS1629 is an epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for 12.5 V Class

Otros transistores... MRF894 , MRF897 , MRF897R , MRF899 , MRFC572 , MS1226 , MS1227 , MS1261 , TIP42C , MS1501 , MS1649 , MS2202 , MS2203 , MS2204 , MS8050-H , MS8050-L , MSA1162GT1G .

History: BD582 | 2SC204F | 2SC1741 | 2SB435O

 

 
Back to Top

 


 
.