MS1329 Todos los transistores

 

MS1329 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS1329
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: SOT120

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MS1329 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  hgsemi
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MS1329

HG RF POWER TRANSISTOR MS1329 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features Features Features 150 MHz 28 VOLTS P OUT = 60W G = 7.0 dB MINIMUM P COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1629 is an epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for 12.5 V Class

Otros transistores... MRF894 , MRF897 , MRF897R , MRF899 , MRFC572 , MS1226 , MS1227 , MS1261 , TIP42C , MS1501 , MS1649 , MS2202 , MS2203 , MS2204 , MS8050-H , MS8050-L , MSA1162GT1G .

History: 2SC4137 | FJN3301R | 2SD389 | BUT36 | 2SD2182 | DTA044EEB | MS1649

 

 
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