MS1329 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS1329  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: SOT120

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MS1329 datasheet

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MS1329

HG RF POWER TRANSISTOR MS1329 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features Features Features 150 MHz 28 VOLTS P OUT = 60W G = 7.0 dB MINIMUM P COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1629 is an epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for 12.5 V Class

Otros transistores... MRF894, MRF897, MRF897R, MRF899, MRFC572, MS1226, MS1227, MS1261, TIP42C, MS1501, MS1649, MS2202, MS2203, MS2204, MS8050-H, MS8050-L, MSA1162GT1G