Биполярный транзистор MS1329 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MS1329
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: SOT120
MS1329 Datasheet (PDF)
..1. Size:427K hgsemi
ms1329.pdf
ms1329.pdf
HG RF POWER TRANSISTORMS1329SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures FeaturesFeaturesFeatures 150 MHz 28 VOLTS P OUT = 60W G = 7.0 dB MINIMUM P COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION: DESCRIPTION: DESCRIPTION:DESCRIPTION: The MS1629 is an epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for 12.5 V Class
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050