MS1329 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MS1329 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MS1329
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SOT120

 Аналоги (замена) для MS1329

 

MS1329 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  hgsemi
 ms1329.pdf pdf_icon

MS1329

HG RF POWER TRANSISTOR MS1329 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features Features Features 150 MHz 28 VOLTS P OUT = 60W G = 7.0 dB MINIMUM P COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1629 is an epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for 12.5 V Class

Другие транзисторы... MRF894 , MRF897 , MRF897R , MRF899 , MRFC572 , MS1226 , MS1227 , MS1261 , TIP42C , MS1501 , MS1649 , MS2202 , MS2203 , MS2204 , MS8050-H , MS8050-L , MSA1162GT1G .

History: 2SC3055 | 2SC4137 | CHEMA4GP

 

 
Back to Top

 


 
.