Справочник транзисторов. MS1329

 

Биполярный транзистор MS1329 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MS1329
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SOT120
 

 Аналог (замена) для MS1329

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MS1329 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  hgsemi
 ms1329.pdf pdf_icon

MS1329

HG RF POWER TRANSISTORMS1329SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeatures FeaturesFeaturesFeatures 150 MHz 28 VOLTS P OUT = 60W G = 7.0 dB MINIMUM P COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION: DESCRIPTION: DESCRIPTION:DESCRIPTION: The MS1629 is an epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for 12.5 V Class

Другие транзисторы... MRF894 , MRF897 , MRF897R , MRF899 , MRFC572 , MS1226 , MS1227 , MS1261 , TIP42C , MS1501 , MS1649 , MS2202 , MS2203 , MS2204 , MS8050-H , MS8050-L , MSA1162GT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.