MS1329 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MS1329  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SOT120

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MS1329

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MS1329 даташит

 ..1. Size:427K  hgsemi
 ms1329.pdf pdf_icon

MS1329

HG RF POWER TRANSISTOR MS1329 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features Features Features 150 MHz 28 VOLTS P OUT = 60W G = 7.0 dB MINIMUM P COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1629 is an epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for 12.5 V Class

Другие транзисторы: MRF894, MRF897, MRF897R, MRF899, MRFC572, MS1226, MS1227, MS1261, TIP42C, MS1501, MS1649, MS2202, MS2203, MS2204, MS8050-H, MS8050-L, MSA1162GT1G