MS1649 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS1649  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 15.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 470 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO39

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MS1649 datasheet

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MS1649

HG RF POWER TRANSISTOR MS1501 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features 860 MHz POUT = 2 WATTS GP = 8.5 dB MINIMUM GOLD METALLIZATION CLASS A LINEAR OPERATION COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1501 is a silicon NPN bipolar device specifically designed for high linearity applications in the

Otros transistores... MRF897R, MRF899, MRFC572, MS1226, MS1227, MS1261, MS1329, MS1501, 2N3906, MS2202, MS2203, MS2204, MS8050-H, MS8050-L, MSA1162GT1G, MSB1218A-RT1, MSB1218A-RT1G