MS1649 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MS1649
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 15.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 470 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO39

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MS1649

MS1649 Datasheet (PDF)

..1. Size:305K hgsemi
ms1649.pdf

HG RF POWER TRANSISTORMS1501SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeaturesFeatures 860 MHz POUT = 2 WATTS GP = 8.5 dB MINIMUM GOLD METALLIZATION CLASS A LINEAR OPERATION COMMON EMITTER CONFIGURATIONDESCRIPTION:DESCRIPTION:The MS1501 is a silicon NPN bipolar device specifically designed for high linearity applications in the

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History: 2SD1788 | 2SD1803 | BUX87P | AD313 | 2SD1887 | BSP16 | CSB546R

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050