MS1649 Todos los transistores

 

MS1649 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS1649
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 15.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 470 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO39

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MS1649 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  hgsemi
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MS1649

HG RF POWER TRANSISTOR MS1501 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features 860 MHz POUT = 2 WATTS GP = 8.5 dB MINIMUM GOLD METALLIZATION CLASS A LINEAR OPERATION COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1501 is a silicon NPN bipolar device specifically designed for high linearity applications in the

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History: DTA044EEB | FJN3301R | BUT36 | 2SD389

 

 
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