MS1649 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS1649
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 470 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO39
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MS1649 Datasheet (PDF)
ms1649.pdf

HG RF POWER TRANSISTORMS1501SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeaturesFeatures 860 MHz POUT = 2 WATTS GP = 8.5 dB MINIMUM GOLD METALLIZATION CLASS A LINEAR OPERATION COMMON EMITTER CONFIGURATIONDESCRIPTION:DESCRIPTION:The MS1501 is a silicon NPN bipolar device specifically designed for high linearity applications in the
Otros transistores... MRF897R , MRF899 , MRFC572 , MS1226 , MS1227 , MS1261 , MS1329 , MS1501 , 13003 , MS2202 , MS2203 , MS2204 , MS8050-H , MS8050-L , MSA1162GT1G , MSB1218A-RT1 , MSB1218A-RT1G .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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