Биполярный транзистор MS1649 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MS1649
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 470 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO39
MS1649 Datasheet (PDF)
..1. Size:305K hgsemi
ms1649.pdf
ms1649.pdf
HG RF POWER TRANSISTORMS1501SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORFeaturesFeatures 860 MHz POUT = 2 WATTS GP = 8.5 dB MINIMUM GOLD METALLIZATION CLASS A LINEAR OPERATION COMMON EMITTER CONFIGURATIONDESCRIPTION:DESCRIPTION:The MS1501 is a silicon NPN bipolar device specifically designed for high linearity applications in the
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: OC36 | 2SD1429
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050