MS1649 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MS1649  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 470 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MS1649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MS1649 даташит

 ..1. Size:305K  hgsemi
 ms1649.pdf pdf_icon

MS1649

HG RF POWER TRANSISTOR MS1501 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features 860 MHz POUT = 2 WATTS GP = 8.5 dB MINIMUM GOLD METALLIZATION CLASS A LINEAR OPERATION COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS1501 is a silicon NPN bipolar device specifically designed for high linearity applications in the

Другие транзисторы: MRF897R, MRF899, MRFC572, MS1226, MS1227, MS1261, MS1329, MS1501, 2N3906, MS2202, MS2203, MS2204, MS8050-H, MS8050-L, MSA1162GT1G, MSB1218A-RT1, MSB1218A-RT1G