MT4S102T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MT4S102T  📄📄 

Código: P8

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W

Tensión colector-base (Vcb): 6 V

Tensión colector-emisor (Vce): 3 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 25000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: 2-1G1B

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MT4S102T datasheet

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MT4S102T

MT4S102T TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S102T UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit mm 1.2 0.05 FEATURES 0.9 0.05 Low Noise Figure NF=0.58dB (@f=2GHz) High Gain S21e 2=16.0dB (@f=2GHz) Marking 4 3 P 8 1. Collector 1 2 2. Emitter 3. Base 4. Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) TESQ JEDEC - Cha

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MT4S102T

MT4S102U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S102U UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit mm 2.1 0.1 1.25 0.1 FEATURES Low Noise Figure NF=0.58dB (@f=2GHz) High Gain S21e 2=15.0dB (@f=2GHz) Marking 4 3 P 8 1. COLLECTOR 1 2 2. EMITTER 3. BASE 4. EMITTER Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) USQ Characteristics S

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