MT4S102T Todos los transistores

 

MT4S102T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT4S102T
   Código: P8
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W
   Tensión colector-base (Vcb): 6 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 3 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 25000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: 2-1G1B

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MT4S102T Datasheet (PDF)

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MT4S102T MT4S102T

MT4S102T TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S102T UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit:mm1.20.05 FEATURES 0.90.05 Low Noise Figure :NF=0.58dB (@f=2GHz) High Gain:|S21e|2=16.0dB (@f=2GHz) Marking 4 3 P 8 1. Collector 1 2 2. Emitter 3. Base 4. Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) TESQ JEDEC -Cha

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MT4S102T MT4S102T

MT4S102U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S102U UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit: mm2.10.1 1.250.1 FEATURES Low Noise Figure :NF=0.58dB (@f=2GHz) High Gain:|S21e|2=15.0dB (@f=2GHz) Marking 4 3 P 8 1. COLLECTOR1 22. EMITTER3. BASE 4. EMITTER Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) USQCharacteristics S

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