Справочник транзисторов. MT4S102T

 

Биполярный транзистор MT4S102T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MT4S102T
   Маркировка: P8
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 6 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: 2-1G1B
 

 Аналог (замена) для MT4S102T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT4S102T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  toshiba
 mt4s102t.pdf pdf_icon

MT4S102T

MT4S102T TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S102T UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit:mm1.20.05 FEATURES 0.90.05 Low Noise Figure :NF=0.58dB (@f=2GHz) High Gain:|S21e|2=16.0dB (@f=2GHz) Marking 4 3 P 8 1. Collector 1 2 2. Emitter 3. Base 4. Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) TESQ JEDEC -Cha

 7.1. Size:91K  toshiba
 mt4s102u.pdf pdf_icon

MT4S102T

MT4S102U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S102U UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit: mm2.10.1 1.250.1 FEATURES Low Noise Figure :NF=0.58dB (@f=2GHz) High Gain:|S21e|2=15.0dB (@f=2GHz) Marking 4 3 P 8 1. COLLECTOR1 22. EMITTER3. BASE 4. EMITTER Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) USQCharacteristics S

Другие транзисторы... MSG430D4 , MT3S106FS , MT3S111 , MT3S111P , MT3S111TU , MT3S113 , MT3S113P , MT3S113TU , BC556 , MT4S102U , MT4S300U , MT4S301U , MT6L03AE , MT6L04AE , MT6L71FS , MT6L76FS , MT6L77FS .

History: 2SB828

 

 
Back to Top

 


 
.