MT4S102T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT4S102T  📄📄 

Маркировка: P8

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 6 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: 2-1G1B

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT4S102T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT4S102T даташит

 ..1. Size:107K  toshiba
 mt4s102t.pdf pdf_icon

MT4S102T

MT4S102T TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S102T UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit mm 1.2 0.05 FEATURES 0.9 0.05 Low Noise Figure NF=0.58dB (@f=2GHz) High Gain S21e 2=16.0dB (@f=2GHz) Marking 4 3 P 8 1. Collector 1 2 2. Emitter 3. Base 4. Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) TESQ JEDEC - Cha

 7.1. Size:91K  toshiba
 mt4s102u.pdf pdf_icon

MT4S102T

MT4S102U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S102U UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit mm 2.1 0.1 1.25 0.1 FEATURES Low Noise Figure NF=0.58dB (@f=2GHz) High Gain S21e 2=15.0dB (@f=2GHz) Marking 4 3 P 8 1. COLLECTOR 1 2 2. EMITTER 3. BASE 4. EMITTER Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) USQ Characteristics S

Другие транзисторы: MSG430D4, MT3S106FS, MT3S111, MT3S111P, MT3S111TU, MT3S113, MT3S113P, MT3S113TU, D209L, MT4S102U, MT4S300U, MT4S301U, MT6L03AE, MT6L04AE, MT6L71FS, MT6L76FS, MT6L77FS