MP6301 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP6301  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: 2-32C1F

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MP6301 datasheet

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MP6301

MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Darlington power transistor 6 in 1) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit mm 3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pin) High collector power dissipation (6 devices operation) P = 4.4 W (Ta = 25 C) T High c

 ..2. Size:153K  toshiba
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MP6301

MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Six Darlington Power Transistors inOne) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit mm 3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pins) High collector power dissipation (6-device operation) PT = 4.4 W (Ta = 25 C) Hi

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MP6301

TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Otros transistores... MP4T3243, MP4T6310, MP4T6325, MP4T6365, MP4T645, MP4T801, MP4T802, MP4T856, 2N3055, MP6901, MPQ3467, MPQ3725, MPQ3725A, MPQ3762, MPQ3798, MPQ3799, MPQ6002