MP6301 Todos los transistores

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MP6301 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP6301

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000

Empaquetado / Estuche: 2-32C1F

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MP6301 Datasheet (PDF)

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MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Darlington power transistor 6 in 1) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mm 3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor • Small package by full molding (SIP 12 pin) • High collector power dissipation (6 devices operation) : P = 4.4 W (Ta = 25°C) T • High c

1.2. mp6301 en wm 20061027.pdf Size:153K _toshiba

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MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Six Darlington Power Transistors inOne) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mm 3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pins) High collector power dissipation (6-device operation) : PT = 4.4 W (Ta = 25C) High collect

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