MP6301 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MP6301
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: 2-32C1F

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MP6301

MP6301 Datasheet (PDF)

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MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Darlington power transistor 6 in 1) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mm3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pin) High collector power dissipation (6 devices operation) : P = 4.4 W (Ta = 25C) T High c

..2. Size:153K toshiba
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MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Six Darlington Power Transistors inOne) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mm3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pins) High collector power dissipation (6-device operation) : PT = 4.4 W (Ta = 25C) Hi

9.1. Size:607K trinnotech
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