MP6301 Todos los transistores

 

MP6301 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MP6301
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: 2-32C1F
 

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MP6301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  toshiba
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MP6301

MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Darlington power transistor 6 in 1) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mm3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pin) High collector power dissipation (6 devices operation) : P = 4.4 W (Ta = 25C) T High c

 ..2. Size:153K  toshiba
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MP6301

MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Six Darlington Power Transistors inOne) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mm3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pins) High collector power dissipation (6-device operation) : PT = 4.4 W (Ta = 25C) Hi

 9.1. Size:607K  trinnotech
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MP6301

TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Otros transistores... MP4T3243 , MP4T6310 , MP4T6325 , MP4T6365 , MP4T645 , MP4T801 , MP4T802 , MP4T856 , C5198 , MP6901 , MPQ3467 , MPQ3725 , MPQ3725A , MPQ3762 , MPQ3798 , MPQ3799 , MPQ6002 .

 

 
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