MP6301 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP6301  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: 2-32C1F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MP6301

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MP6301 даташит

 ..1. Size:97K  toshiba
 mp6301.pdf pdf_icon

MP6301

MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Darlington power transistor 6 in 1) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit mm 3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pin) High collector power dissipation (6 devices operation) P = 4.4 W (Ta = 25 C) T High c

 ..2. Size:153K  toshiba
 mp6301 .pdf pdf_icon

MP6301

MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Six Darlington Power Transistors inOne) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit mm 3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pins) High collector power dissipation (6-device operation) PT = 4.4 W (Ta = 25 C) Hi

 9.1. Size:607K  trinnotech
 tmp630z tmpf630z.pdf pdf_icon

MP6301

TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Другие транзисторы: MP4T3243, MP4T6310, MP4T6325, MP4T6365, MP4T645, MP4T801, MP4T802, MP4T856, 2N3055, MP6901, MPQ3467, MPQ3725, MPQ3725A, MPQ3762, MPQ3798, MPQ3799, MPQ6002