Справочник транзисторов. MP6301

 

Биполярный транзистор MP6301 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MP6301
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: 2-32C1F

 Аналоги (замена) для MP6301

 

 

MP6301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  toshiba
mp6301.pdf

MP6301
MP6301

MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Darlington power transistor 6 in 1) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mm3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pin) High collector power dissipation (6 devices operation) : P = 4.4 W (Ta = 25C) T High c

 ..2. Size:153K  toshiba
mp6301 .pdf

MP6301
MP6301

MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Six Darlington Power Transistors inOne) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mm3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pins) High collector power dissipation (6-device operation) : PT = 4.4 W (Ta = 25C) Hi

 9.1. Size:607K  trinnotech
tmp630z tmpf630z.pdf

MP6301
MP6301

TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top