BDS20SMD Todos los transistores

 

BDS20SMD . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDS20SMD
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO276AB

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BDS20SMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  semelab
 bds20smd.pdf

BDS20SMD BDS20SMD

SILICON EPIBASE NPN DARLINGTON TRANSISTOR BDS20SMD High DC Current Gain Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For General Purpose Amplifiers and Low Speed Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 80V VCEO Collector Emitter Voltage 80V VE

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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