BDS20SMD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDS20SMD  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO276AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDS20SMD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDS20SMD даташит

 ..1. Size:452K  semelab
 bds20smd.pdf pdf_icon

BDS20SMD

SILICON EPIBASE NPN DARLINGTON TRANSISTOR BDS20SMD High DC Current Gain Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For General Purpose Amplifiers and Low Speed Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 80V VCEO Collector Emitter Voltage 80V VE

Другие транзисторы: BDS17SMD05, BDS17X, BDS17XSMD, BDS17XSMD05, BDS18SMD, BDS18SMD05, BDS19SMD, BDS19SMD05, 2N5551, BDS21SMD, BDS28AM3A, BDS28AN2, BDS28BM3A, BDS28BN2, BDS28BSMD, BDS28CM3A, BDS28CN2