BDY76E Todos los transistores

 

BDY76E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY76E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO204
 

 Búsqueda de reemplazo de BDY76E

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BDY76E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11K  semelab
 bdy76e.pdf pdf_icon

BDY76E

BDY76EDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 60V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 20A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 bdy76.pdf pdf_icon

BDY76E

isc Silicon NPN Power Transistor BDY76DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaHigh DC Current Gain-: h = 40~120@I = 10AFE CLow Saturation Voltage-: V )= 1.4V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for linear amplifiers, series pass regulators, andinductive switching applicatio

Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: D33D2 | 2SC1213A | BSC1015A

 

 
Back to Top

 


 
.