BDY76E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BDY76E 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO204
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BDY76E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDY76E даташит
bdy76e.pdf
BDY76E Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 60V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 20A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a
bdy76.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY76 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain- h = 40 120@I = 10A FE C Low Saturation Voltage- V )= 1.4V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applicatio
Другие транзисторы: BDX67CECC, BDY27AS, BDY27CX, BDY55X, BDY58A, BDY58S, BDY60-02, BDY71X, TIP31, BDY90S, BFU520, BFU520A, BFU520W, BFU520X, BFU520XR, BFU520Y, BFU530
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136

