BLV80 Todos los transistores

 

BLV80 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV80
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: SOT121
 

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BLV80 Datasheet (PDF)

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BLV80

HG RF POWER TRANSISTORBLV80-28SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION:PACKAGE STYLE .500 4L FLGThe BLV80-28 is Designed for 28 VoltClass C VHF PowerAmplifierApplications up to 175 MHz.FEATURES: = 65 % min. at 80 W/175 MHz CPG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHzOmnigold Metalization SystemMAXIMUM RATINGSIC 9.0 AVCBO 65 VVCEO 35 V

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: MJE13002G2 | KSC5042 | 2SB109 | SQ2857F | 2N5172 | MJE370 | D40D14

 

 
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