BLV80 Todos los transistores

 

BLV80 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV80
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: SOT121
 

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BLV80 datasheet

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BLV80

HG RF POWER TRANSISTOR BLV80-28 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .500 4L FLG The BLV80-28 is Designed for 28 Volt Class C VHF Power AmplifierApplications up to 175 MHz. FEATURES = 65 % min. at 80 W/175 MHz C PG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHz Omnigold Metalization System MAXIMUM RATINGS IC 9.0 A VCBO 65 V VCEO 35 V

Otros transistores... BFW44DCSM , BFX34SMD , BFX34SMD05 , BFX48DCSM , BFY90DCSM , BLD128DD , BLV38 , BLV62 , 2N2907 , BLV948 , BLV97CE , BLX65E , BLX65ES , BLY93H , BR3CA1353F , BR3CG3802 , BR3CG984K .

History: RN4987FE

 

 

 


 
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