BLV80 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV80
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
Tensión colector-base (Vcb): 65 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: SOT121
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BLV80 Datasheet (PDF)
blv80.pdf

HG RF POWER TRANSISTORBLV80-28SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION:PACKAGE STYLE .500 4L FLGThe BLV80-28 is Designed for 28 VoltClass C VHF PowerAmplifierApplications up to 175 MHz.FEATURES: = 65 % min. at 80 W/175 MHz CPG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHzOmnigold Metalization SystemMAXIMUM RATINGSIC 9.0 AVCBO 65 VVCEO 35 V
Otros transistores... BFW44DCSM , BFX34SMD , BFX34SMD05 , BFX48DCSM , BFY90DCSM , BLD128DD , BLV38 , BLV62 , 2SC2482 , BLV948 , BLV97CE , BLX65E , BLX65ES , BLY93H , BR3CA1353F , BR3CG3802 , BR3CG984K .
History: 2PB709BRL | PUMB16 | 2SC1030A | SE7056 | NSBA124EDXV6T1G
History: 2PB709BRL | PUMB16 | 2SC1030A | SE7056 | NSBA124EDXV6T1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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