BLV80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLV80  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SOT121

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLV80

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV80 даташит

 ..1. Size:257K  hgsemi
 blv80.pdf pdf_icon

BLV80

HG RF POWER TRANSISTOR BLV80-28 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .500 4L FLG The BLV80-28 is Designed for 28 Volt Class C VHF Power AmplifierApplications up to 175 MHz. FEATURES = 65 % min. at 80 W/175 MHz C PG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHz Omnigold Metalization System MAXIMUM RATINGS IC 9.0 A VCBO 65 V VCEO 35 V

Другие транзисторы: BFW44DCSM, BFX34SMD, BFX34SMD05, BFX48DCSM, BFY90DCSM, BLD128DD, BLV38, BLV62, 2N2907, BLV948, BLV97CE, BLX65E, BLX65ES, BLY93H, BR3CA1353F, BR3CG3802, BR3CG984K