Биполярный транзистор BLV80 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV80
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: SOT121
BLV80 Datasheet (PDF)
..1. Size:257K hgsemi
blv80.pdf
blv80.pdf
HG RF POWER TRANSISTORBLV80-28SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION:PACKAGE STYLE .500 4L FLGThe BLV80-28 is Designed for 28 VoltClass C VHF PowerAmplifierApplications up to 175 MHz.FEATURES: = 65 % min. at 80 W/175 MHz CPG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHzOmnigold Metalization SystemMAXIMUM RATINGSIC 9.0 AVCBO 65 VVCEO 35 V
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050