Справочник транзисторов. BLV80

 

Биполярный транзистор BLV80 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV80
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: SOT121
 

 Аналог (замена) для BLV80

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  hgsemi
 blv80.pdf pdf_icon

BLV80

HG RF POWER TRANSISTORBLV80-28SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION:PACKAGE STYLE .500 4L FLGThe BLV80-28 is Designed for 28 VoltClass C VHF PowerAmplifierApplications up to 175 MHz.FEATURES: = 65 % min. at 80 W/175 MHz CPG = 6.5 dB min. at 80 W/175 MHzOmnigold Metalization SystemMAXIMUM RATINGSIC 9.0 AVCBO 65 VVCEO 35 V

Другие транзисторы... BFW44DCSM , BFX34SMD , BFX34SMD05 , BFX48DCSM , BFY90DCSM , BLD128DD , BLV38 , BLV62 , 2SC2482 , BLV948 , BLV97CE , BLX65E , BLX65ES , BLY93H , BR3CA1353F , BR3CG3802 , BR3CG984K .

 

 
Back to Top

 


 
.