BLV97CE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV97CE
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 27 V
Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 960 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 44 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: SOT171
Búsqueda de reemplazo de BLV97CE
BLV97CE Datasheet (PDF)
blv97ce.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV97CEUHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV97CEFEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171envelope, intended for common emitter, class-AB Ballasting resistors for an optimu
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 40317V1 | NSS60601MZ4 | 2T625BM-2 | NSS20200L | KRA308 | BUH417
History: 40317V1 | NSS60601MZ4 | 2T625BM-2 | NSS20200L | KRA308 | BUH417



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor