BLV97CE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLV97CE  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 27 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 44 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SOT171

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLV97CE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV97CE даташит

 ..1. Size:65K  philips
 blv97ce.pdf pdf_icon

BLV97CE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV97CE UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV97CE FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171 envelope, intended for common emitter, class-AB Ballasting resistors for an optimu

 ..2. Size:135K  njs
 blv97ce.pdf pdf_icon

BLV97CE

Другие транзисторы: BFX34SMD05, BFX48DCSM, BFY90DCSM, BLD128DD, BLV38, BLV62, BLV80, BLV948, 2SC828, BLX65E, BLX65ES, BLY93H, BR3CA1353F, BR3CG3802, BR3CG984K, BR3DA122DK, BR3DA6821K