Биполярный транзистор BLV97CE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV97CE
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 27 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 44 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: SOT171
BLV97CE Datasheet (PDF)
..1. Size:65K philips
blv97ce.pdf
blv97ce.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV97CEUHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV97CEFEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171envelope, intended for common emitter, class-AB Ballasting resistors for an optimu
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050