BR3DG227K Todos los transistores

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BR3DG227K . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BR3DG227K

Código: BRD227

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 70

Empaquetado / Estuche: TO92

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BR3DG227K Datasheet (PDF)

1.1. br3dg227k.pdf Size:451K _update

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KSD227(BR3DG227K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. 特征 / Features 与 KSA642(BR3CG642K)互补,集电极耗散功率高。 Complement to KSA642(BR3CG642K),PC=400Mw. 用途 / Applications 用于低频放大。 Low frequency power amplifier. 内部等效电路

5.1. br3dg1684.pdf Size:309K _update

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2SC1684(BR3DG1684) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. 特征 / Features 共发射极直流电流放大系数大,饱和压降低。 High hFE, low VCE(sat). 用途 / Applications 用于一般放大。 General purpose amplifier. 内部等效电路 / Equivalent Circuit

5.2. br3dg536k.pdf Size:620K _update

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2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. 特征 / Features 高电流和宽阔的安全工作区。 Large current capacity and wide ASO 用途 / Applications 用于小信号一般放大电路。 Small signal general purpose amplifier appl

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