BSS60A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSS60A
   Material: SI
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 800
Paquete / Cubierta: TO39

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BSS60A

BSS60A Datasheet (PDF)

..1. Size:62K comset
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NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSThey are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

9.1. Size:410K infineon
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BSS606NOptiMOS-3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement modeVGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated)ID 3.2 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT-89 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Information Marking Halog

9.2. Size:3991K cn tech public
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