BSS60A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSS60A  📄📄 

Тип материала: SI

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BSS60A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS60A даташит

 ..1. Size:62K  comset
 bss60a bss61a bss62a.pdf pdf_icon

BSS60A

NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

 9.1. Size:410K  infineon
 bss606n.pdf pdf_icon

BSS60A

BSS606N OptiMOS -3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 60 V N-channel RDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement mode VGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated) ID 3.2 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT-89 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Information Marking Halog

 9.2. Size:3991K  cn tech public
 bss606n-p.pdf pdf_icon

BSS60A

Другие транзисторы: BSP16T1G, BSP19AT1G, BSP20A, BSP52T1G, BSP52T3G, BSS50A, BSS51A, BSS52A, 2SC2383, BSS61A, BSS62A, BSS63LT1G, BSS63R, BSS64LT1G, BSS71CSM, BSS71DCSM, BSS73CSM